Cách đây không lâu, có thông tin cho rằng dòng Samsung Galaxy S25 của năm tới có thể được cung cấp sức mạnh bởi Exynos 2500, và Samsung sẽ chuyển sang kỷ nguyên "Dream Chip" với dòng Galaxy S 2026 của mình.
Tuy nhiên cho đến nay, quá trình phát triển Exynos 2500 của Samsung được đánh giá là một dự án đầy khó khăn. Cách đây vài tháng, có tin đồn cho rằng quy trình GAA 3nm của Samsung hiện cho hiệu suất kém, nên mẫu SoC đầu bảng sắp tới của công ty sẽ khó có thể xuất xưởng kịp thời, có nghĩa là Snapdragon 8 Gen 4 của Qualcomm sẽ độc quyền cung cấp năng lượng cho dòng Galaxy S25.
Tuy nhiên, các báo cáo gần đây lại cho biết gã khổng lồ Hàn Quốc đã chứng kiến một số tiến bộ với quy trình sản xuất của chip Exynos 2500. Điều này là có cơ sở bởi Samsung đã ra mắt các mẫu Galaxy Watc thế hệ mới chạy bộ xử lý Exynos W1000 sử dụng quy trình GAA 3nm.
Đối với Exynos 2500, phiên bản nguyên mẫu của con chip này được đồn đoán có thể hoạt động ở tần số cao hơn, đồng thời tiết kiệm điện hơn so với A15 Bionic của Apple.
Theo đó, Exynos 2500 được cho là không chỉ có thể đạt tốc độ xung nhịp 3,20GHz (đồng nghĩa hiệu suất lõi đơn và đa lõi sẽ được nâng cao), mà còn vượt trội so với A15 Bionic của Apple về hiệu suất năng lượng. Tất nhiên đây là một tín hiệu tốt, nhưng cũng cần lưu ý rằng A15 Bionic đã có tuổi đời vài năm và được sản xuất hàng loạt trên quy trình 5nm thế hệ trước của TSMC. Giả sử Samsung muốn nhắm mục tiêu mức năng lượng Exynos 2500 ở cùng phạm vi với A17 Pro hoặc cao hơn, họ có thể phải giảm bớt tốc độ xung nhịp, dẫn đến hiệu năng cũng chắc chắn bị ảnh hưởng.
Một tin đồn khác cũng đề cập rằng các bài đánh giá benchmark CPU và GPU ban đầu của Exynos 2500 cao hơn Snapdragon 8 Gen 3, và cụm CPU 10 nhân được cho là có khả năng đóng góp vào kết quả này. Tuy nhiên, lợi thế lớn nhất của số lõi CPU cao hơn là tăng mức tiêu thụ điện năng và nếu Samsung vẫn giữ nguyên cấu hình này, có thể sẽ không thể điều chỉnh đáng kể hiệu suất năng lượng của con chip.
Một báo cáo mới tuyên bố rằng dòng Galaxy S25 với Exynos 2500 thậm chí có thể vượt qua hiệu suất của các biến thể Qualcomm Snapdragon 8 Gen 4.
Samsung đã sử dụng bộ vi xử lý Exynos 2200 nội bộ của mình trên dòng Galaxy S22. Tuy nhiên, các vấn đề về nhiệt độ quá cao và hiệu năng chậm chạp đã khiến nhà sản xuất Hàn Quốc buộc phải trang bị bộ xử lý Snapdragon cho tất cả các phiên bản Galaxy S23 năm ngoái. Năm nay, tình hình có vẻ khả quan hơn khi Exynos 2400 đã ra mắt và được sử dụng trên các mẫu Galaxy S24 và Galaxy S24+ ở hầu hết các thị trường ngoại trừ Hoa Kỳ và Trung Quốc. Nhiều khả năng Samsung sẽ tiếp tục áp dụng chiến lược tương tự cho dòng Galaxy S25 hàng đầu của năm tới.
Điều đáng nói là toàn bộ dòng Galaxy S24 đều được trang bị khá nhiều tính năng Galaxy AI mới mẻ. Những tính năng này không chỉ chip Snapdragon mà cả các biến thể Exynos cũng có thể xử lý tốt. Thành công đó đã một lần nữa tái sinh thương hiệu Exynos, mang lại cho người dùng cảm giác tin tưởng vào chất lượng của bộ xử lý Samsung. Đáng chú ý, Qualcomm 8 Gen 3 vẫn dẫn đầu về hiệu năng nhưng Exynos với giá thành rẻ hơn cũng có tính cạnh tranh rất cao.
Samsung là công ty đầu tiên đưa vào sản xuất đại trà quy trình Gate All Around (GAA) 3nm trên toàn cầu, và cũng là công ty đầu tiên triển khai công nghệ này trong chip bán dẫn. Đầu tháng này, có thông tin cho rằng gã khổng lồ bán dẫn Hàn Quốc đang đẩy mạnh hợp tác với công ty Tự động hóa Thiết kế Điện tử (EDA) Synopsys nhăm triển khai sản xuất thương mại chipset 3nm.
Hiện tại, theo báo cáo mới nhất của BusinessKorea, Samsung đang có kế hoạch sản xuất hàng loạt Exynos 2500 sử dụng công nghệ GAA 3nm cho dòng Galaxy S25 ra mắt đầu năm tới. Các nhà phân tích trong ngành tin rằng Exynos 2500 sản xuất trên tiến trình 3nm sử dụng công nghệ GAA, nghĩa là cổng bao quanh kênh ở cả bốn phía, về lý thuyết sẽ hạn chế tối đa vấn đề rò rỉ năng lượng và tăng dòng điện, giúp nó vượt qua vi xử lý Qualcomm Snapdragon 8 Gen 4, đặc biệt là về hiệu suất sử dụng điện năng.
Samsung nắm trong tay GAA và sẽ sử dụng công nghệ này để sản xuất bộ xử lý Exynos. Trong khi đó, chipset Snapdragon 8 Gen 4 sẽ được sản xuất bởi TSMC trên quy trình 3nm thế hệ thứ hai với bóng bán dẫn FinFET. Nhìn chung, chưa thể đưa ra bất kỳ kết luận chính thức nào vì kết quả thực tế sẽ dựa trên cách cả bộ vi xử lý Exynos và Snapdragon được tối ưu hóa để sử dụng trên thiết bị Galaxy.
Ý kiến bạn đọc
Những tin mới hơn
Những tin cũ hơn